3月15日消息，据外媒报道，三星电子周四表示，将于本月晚些时候开始在中国建设新的存储芯片生产线，并努力改进NAND闪存技术以满足未来需求。

三星电子本月开始在Xi安建设新的存储芯片生产线。

三星电子去年8月表示，预计未来三年将投资70亿美元，扩大在中国Xi安的NAND闪存芯片生产，但目前尚未确定明确的时间表。

研究提供商Trendforce表示，数据中心市场增长迅速，预计2018年将为三星NAND闪存业务带来收入增长和利润率。

根据Trendforce的数据，由于智能手机和服务器市场的强劲需求，这提振了内存芯片的出货量和平均价格。三星2017年第四季度营收同比增长9.8%，达到61.7亿美元。

该发言人表示，三星将于本月底在Xi正式启动这一流程，并将其指定用于生产NAND闪存，但没有透露其他细节。

分析人士认为，三星电子股价自3月初以来上涨了约13%，这是由于存储芯片市场前景的改善。

“存储芯片很强。对于DRAM芯片，对服务器的需求非常强劲，”DB投资证券分析师Kwon Sung-ryul表示。

“NAND”闪存芯片的出货量和价格走势在预期之内，但由于需求上升，2018年下半年可能会再次收紧供应。"

分析师表示，这一扩张预计最早将在2019年对存储芯片的供应产生影响。(编译/室外)

原标题：三星电子本月启动Xi安建设新的存储芯片生产线。