导读 在ISSCC 2021国际固态电路会议上 台积电联席CEO刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况 指出3nm工艺超过预期 进度将会提前。不过刘德
在ISSCC 2021国际固态电路会议上 台积电联席CEO刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况 指出3nm工艺超过预期 进度将会提前。
不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的 按照他们公布的信息 3nm工艺是今年下半年试产 2022年正式量产。
与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同 台积电的第一代3nm工艺比较保守 依然使用FinFET晶体管。
与5nm工艺相比 台积电3nm工艺的晶体管密度提升70% 速度提升11% 或者功耗降低27%。
不论是5nm还是3nm工艺 甚至未来的2nm工艺 台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高 但是产能依然是EUV光刻的难题 而且能耗也很高。
刘德音提到 台积电已经EUV光源技术获得突破 功率可达350W 不仅能支持5nm工艺 甚至未来可以用于1nm工艺。
按照台积电提出的路线图 他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律 2年升级一代新工艺 而10年则会有一次大的技术升级。
责任编辑：PSY
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