家电小知识:在三极管中,如何判断发射极正偏,集电结反偏?

新时代发展越来越快相信很多小伙伴对家电知识这方面很朦胧吧,正好小编对家电方面颇有研究,现在就跟小伙伴们聊聊一篇关于在三极管中,如何判断发射极正偏,集电结反偏?,相信很多小伙伴们都会感兴趣,那么小编也收集到了有关在三极管中,如何判断发射极正偏,集电结反偏?信息,希望小伙伴们看了有所帮助。

  晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

  电流放大系数

  电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。

  根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

  1.直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。

  2.交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。

  hFE或β既有区别又关系密切,两个参数值在低频时较接近,在高频时有一些差异。

  耗散功率

  耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

  耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。

  通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时候联系我们修改或删除,多谢