高通似乎已接近其下一代移动旗舰处理器的最后阶段。在最初的报道暗示下一个芯片将是 Snapdragon 895 并带来一定的性能改进后，新的泄漏声称该芯片组将被称为 Qualcomm Snapdragon 898，并且还强调了该芯片组的性能规格承担。芯片的核心显然将是新一代 ARM X2 内核。

根据报告，高通Snapdragon 898将有四簇核布局，以1 + 3 + 2 + 2结构配置。在此配置中，SoC 将具有四个效率内核，其中两个配置高频时钟，两个配置较低频率。结构中间的三个核心将是主要性能核心，由一个峰值性能核心进一步支持。后者预计将采用 ARM X2 内核，并且报告建议其主频为 3.09GHz。

至于其他核心，也有望转向新一代ARM核心架构。具体来说，峰值性能核心可能被称为 Kryo 780 Super，它将基于 ARM X2。标准 Kryo 780 将基于 ARM Cortex A710，最后，Kryo 780 效率内核将基于 ARM Cortex A510。其中每一个都基于 64 位 ARM v9 核心架构，这是 ARM 最新一代的处理核心技术，并取代了高通之前使用的较旧的 Cortex X1、A78 和 A55 核心。

到目前为止，最初的基准测试显示 Geekbench 单核得分约为 1,250，多核得分约为 4,000。这表明与前任相比，性能有了相当大的提升。这让我们很高兴看到 Qualcomm Snapdragon 898 在性能方面的表现如何，以及该公司如何设法缓解发热问题。骁龙 888 出现了许多发热问题并因此受到批评，因此高通会小心谨慎，不要重蹈覆辙。