7月17日上午，三星宣布研发出业界首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10纳米工艺(10 ~ 20纳米)。LPDDR5内存芯片单个容量为8Gb(1GB)，8Gb容量的模块原型也已经制作完成并通过验证。

功耗方面，比LPDDR4X低高达30%，主要得益于加入了动态电压调节、避免无效消耗、深度睡眠等技术。

三星的8Gb LPDDR5灵活性很高，1.1V时可以达到6400Mbps，1.05V时可以达到5500Mbps，手机和车载平台都可以选择。

全新8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分，目前已经包括10nm级16Gb GDDR6内存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月开发完成)。

三星将在韩国平泽的工厂大规模生产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。

原标题：三星首款LPDDR5存储芯片，高频低功耗。

编辑：李晓玲。