终于快来了!三星量产第8代V-NAND闪存:传输速度提升一倍

导读 从本月开始,各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘,同时带来更多新技术和优惠。近日,三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片,...

从本月开始,各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘,同时带来更多新技术和优惠。近日,三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片,并将其命名为第8代V-NAND。


(图片来源:三星电子官方网站)


据小雷了解,新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度,相比上一代提升了1.2倍,可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍,第8代V-NAND可以提供1Tb(128GB)的方案,三星电子没有公布IC的实际密度,不过他们称其是业界最高的比特密度。


(图片来源:三星电子中国官方网站)


目前三星官方还未发布实际的产品,不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是,虽然存储容量变得更大,但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平,封装512GB容量也不会超过0.8mm。


与目前同容量的闪存芯片相比,第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%,能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低,后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。


(图片来源:三星电子中国官方网站)


事实上,不只有三星一家,像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术,以此来拉开与竞争者的差距,从而占据大部分市场份额。就目前而言,三星的3D NAND技术已经完成了全面领先,希望后续其他厂商能够加把劲,争取早日追上三星。


对想购买固态硬盘的用户来说,完全可以等等看,毕竟做等等党“永远不亏”,预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是,存储厂商的“内卷”才刚刚开始,未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。


(封面图来源:三星电子中国官方网站)

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!