科技前沿看点ADI展示下一代用于测试的MEMS开关

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目的是在具有良好直流和良好射频性能的单个器件中为具有良好直流性能和较差射频性能的继电器和具有较差直流性能的RF半导体开关提供替代方案,ADI公司宣称其工作频率为34GHz。

给定良好的RF和DC特性,功率测试仪和RF仪器都可以通过一组相同的开关连接到被测单元的端子。通用环回测试是另一个潜在的应用。

ADI-MEMS-switch-gen1几年前,ADI推出了以ADGM1304为代表的第一代MEMS继电器(左)。

这些中的MEM开关是一个悬臂,其末端带有一个触点,通过使用静电力弯曲悬臂将其下拉以完成电路。在该图中,MEMS裸片上有四个开关,它们与一个高压芯片共封装,该芯片为悬臂提供“栅极”驱动。

ADI-MEMS开关CCT Gen1和2在第二代中,该公司摆脱了悬臂,采用了由两个栅电极操作的跷跷板机芯(右图),该机具至少具有三个优点:

首先,现在开关时间保持平衡-每个开关时间约为100μs,其次,可以选择进行转换开关,而不仅仅是SPST开关。第三个更微妙-如果保持运转,第一代悬臂将逐渐弯曲,并在移除驱动电压后最终保持闭合-导致引入“持续寿命最大化”规范-对于第一代为七年现在在Gen2中已超过10年。

需要80V的静电来产生足够的操作力,这又是由共同封装的IC提供的(diag右上方)。封装为4 x 5 x 0.95mm。

集成的驱动器芯片提供SPI串行接口和并行接口,并且已经转移到内部电路板(这是Gen1中的引线框)以允许集成无源组件,包括去耦电容器。

触点端口上的片上10MΩ电阻器会排出连接的寄生电容的浮动节点上累积的电荷,以防止触点闭合时产生高(破坏性)电流浪涌。

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