新时代高科技不计其数越来越发达，小伙伴们看过不少科技新闻吧，在我们生活中应该也用到很多这些高科技东西，有哪些小伙伴值的关注的呢，今天就跟大家分享一篇有关科技方面知识，希望大家会喜欢。

小编发现不少朋友对于 与eUFS 3.0相比 eUFS 3.1存储带来的顺序写入速度快三倍 这方面的信息都比较感兴趣，小编就针对 与eUFS 3.0相比 eUFS 3.1存储带来的顺序写入速度快三倍 整理了一些相关方面的信息 在这里分享给大家。

三星今天宣布，它已开始批量生产世界上第一个512GB eUFS(嵌入式通用闪存)3.1存储，专为能够拍摄8K视频的旗舰智能手机而设计。该公司声称，其新的eUFS 3.1存储的写入速度几乎是512GB eUFS 3.0移动存储器的三倍。

三星电子存储器销售与营销执行副总裁Cheol Choi在一份声明中说：

随着我们引入最快的移动存储，智能手机用户将不再需要担心传统存储卡所面临的瓶颈。新的eUFS 3.1反映了我们对支持全球智能手机制造商今年快速增长的需求的持续承诺。

三星的新型512GB eUFS 3.1存储的连续写入速度超过1.2 GB / s，是传统基于SATA的PC SSD的两倍。极快的写入速度将使用户无需缓冲即可存储海量8K视频文件或数百张全分辨率照片。据该公司称，在具有eUFS 3.1存储器的电话上传输100GB数据将花费不到2分钟的时间。

在随机性能方面，512GB eUFS 3.1存储比UFS 3.0快60%。它提供每秒100,000个输入/输出操作(IOPS)的读操作和每秒70,000 IOPS的写操作。虽然三星的eUFS 3.1存储最初仅可提供512GB容量，但它计划在今年晚些时候推出256GB和128GB eUFS 3.1芯片。

首款配备快速eUFS 3.1新存储功能的Galaxy智能手机可能是Galaxy Note 20，预计将于今年8月某个时候上市。在银河折的继任者也有可能配备3.1 eUFS存储。