台积电 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技术遇瓶颈,量产时间恐将推迟

导读 据 Digitimes 报道 业内人士透露 台积电 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。报道称 台

据 Digitimes 报道 业内人士透露 台积电 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。报道称 台积电和三星因此将不得不推迟 3nm 制程工艺的开发进度。

按台积电计划 3nm 将于今年完成认证与试产 2022 年投入大规模量产 甚至业界曾表示苹果已率先包下台积电 3 纳米初期产能 成为台积电 3 纳米第一批客户。

3nm 工艺推进延期意味着这两家半导体的 5nm 工艺寿命延长 但目前第一代 5nm 工艺似乎均出现了不同程度的不良现象 这将给两家厂商 5nm 优化留出足够时间。

同时 考虑到英特尔先进制程目前最先进工艺是 10nm 这也给英特尔工艺追赶提供了机会。不过距离 2022 年投产还有充足时间 具体情况仍需观察。

了解到 此前业界预计台积电和三星的 3nm 工艺都会在 2022 年实现量产 但台积电有望领先三星至少半年。

此前台积电曾宣称 其 3 纳米工艺会比最近的 5 纳米工艺性能提升 10% 至 15% 3nm 芯片将提供 20% 至 25% 的节能提升。

此外 台积电董事长刘德音此前表示 台积电今年营收持续创新高 在 3nm 领先布局 于南科的累计投资将超过 2 万亿元新台币 目标是 3nm 量产时 12 英寸晶圆月产能超过 60 万片。相对的 三星晶圆代工业务准备投入 1160 亿美元 以实现在 3nm 工艺上赶超台积电。

责任编辑:PSY

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