家电小知识:上拉下拉电阻问题分析 流散、接地、冲击接地电阻都是什么意思?

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新时代发展越来越快相信很多小伙伴对家电知识这方面很朦胧吧,正好小编对家电方面颇有研究,现在就跟小伙伴们聊聊一篇关于上拉下拉电阻问题分析 流散、接地、冲击接地电阻都是什么意思?,相信很多小伙伴们都会感兴趣,那么小编也收集到了有关上拉下拉电阻问题分析 流散、接地、冲击接地电阻都是什么意思?信息,希望小伙伴们看了有所帮助。

上下拉电阻常见的问题分析:

  一般说来,不光是重要的信号线,只要信号在一段时间内可能出于无驱动状态,就需要处理。

  比如说,一个CMOS门的输入端阻抗很高,没有处理,在悬空状况下很容易捡拾到干扰,如果能量足够甚至会导致击穿或者闩锁,导致器件失效。祈祷输入的保护二极管安全工作吧。如果电平一直处于中间态,那输出就可能是不确定的情况,也可能是上下MOS都导通,对器件寿命造成影响。

  总线上当所有的器件都处于高阻态时也容易有干扰出现。因为这时读写控制线处于无效状态,所以不一定会引起问题。你如果觉得自己能够接受的话也就将就了。但是这时你就要注意到,控制线不能悬空,不然……

上拉下拉电阻问题分析,流散、接地、冲击接地电阻都是什么意思?

  TTL电路的输入端是一个发射极开路引出的结构,拉高或者不接都是高电平,但是强烈建议不要悬空不接。

  上拉还是下拉?要看需要。一方面器件可能又要求,另一方面,比如总线上两个器件,使能控制都是高有效,那么最好下拉,否则当控制信号没有建立的时候就会出现两个冲突,可能烧片。如果计算机总线上面挂了一个D/A,上电复位信号要对它清零或者预置,那么总线可以上下拉到你需要的数字。

  至于上下拉电阻的大小,这个情况就比较多了。CMOS输入的阻抗很高,上下拉电阻阻值可以大一些,一般低功耗电路的阻值取得都比较大,但是抗干扰能力相应比较弱一些。

  很多场合下拉电阻取值比上拉电阻要小,这个是历史遗留问题。如上面所说,TTL电路上拉时输入3集管基射反偏,没有什么电流,但是下拉时要能够使得输入晶体管工作,这个在TTL的手册中可以查到。

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  也是为了这个历史遗留问题,有些CMOS器件内部采用了上拉,这时它会告诉你可以不处理这些管脚,但是这时你就要注意了,因为下拉再用10K可能不好使,因为也许内置的20K电阻和外置的10K把电平固定在了1V左右。

  有时候你会看到150欧姆或者50欧姆左右的上下拉电阻,尤其是在高速电路中会看到。

  150欧姆电阻下拉一般在PECL逻辑中出现。PECL逻辑输出级是设计开路的电压跟随器,需要你用电阻来建立电压。

  50欧姆的电阻在TTL电路中用的不多,因为静态功耗实在是比较大。在CML电路和PECL电路中兼起到了端接和偏置的作用。

  CML电路输出级是一对集电极开路的三极管,需要一个上拉电阻来建立电平。这个电阻可以放在发送端,那么接受端还需要端接处理,也可以放到接受端,这时候端接电阻和偏置电阻就是一个。PECL电路结构上就好像CML后面跟了一个射极跟随器。

  OC门也使用上拉电阻,这个和CML有一点相像,但是还不太一样。CML和PECL电路中三极管工作在线形区,而普通门电路和OC/OD门工作在饱和区。OC/OD门电路常用作电平转换或者驱动,但是其工作速度不会太快。

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  为什么?在OC/OD门中,上拉电阻不能太小,否则功耗会很大。而一般门的负载呈现出一个电容,负载越多,电容越大。当由高到低跳变时,电容的放电通过输出端下拉的MOS或者Bipolar管驱动,速度一般还是比较快的,但是由低到高跳变的时候,就需要通过上拉电阻来完成,R大了几十甚至上百倍,假设C不变,时间常数相应增加同样的倍数。这个在示波器上也可以明显的看出:上升时间比下降时间慢了很多。其实一般门电路上拉比下拉的驱动能力都会差一些,这个现象都存在,只不过不太明显罢了?

  (为什么会这样?动动脑筋。想一想输出电平的变化会对输出级器件的工作点造成什么样的影响。)

  在总线的上下拉电阻设计中,你就要考虑同样的问题了:总线上往往负载很重,如果你要电阻来提供一些值,你就必须保证电容能通过电阻在一定时间内放电到可接受的范围。如果电阻太大,那么就可能出错。

  流散、接地、冲击接地电阻都是什么意思?

  接地极的对地电压与经接地极流入地中的接地电流之比,称为流散电阻。

  电气设备接地部分的对地电压与接地电流之比,称为接地装置的接地电阻,即等于接地线的电阻与流散电阻之和。一般因为接地线的电阻甚小,可以略去不计,因此,可认为接地电阻等于流散电阻。

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  为了降低接地电阻,往往用多根的单一接地极以金属体并联连接而组成复合接地极或接地极组。由于各处单一接地极埋置的距离往往等于单一接地极长度而远小于40m,此时,电流流入各单一接地极时,将受到相互的限制,而妨碍电流的流散。换句话说,即等于增加各单一接地极的电阻。这种影响电流流散的现象,称为屏蔽作用。

  由于屏蔽作用,接地极组的流散电阻,并不等于各单一接地极流散电阻的并联值。此时,接地极组的流散电阻

  Rd = Rd1/(n·η)

  (1)式中:Rd1──单一接地极的流散电阻

  n ──单一接地极的根数

  η ──接地极的利用系数,它与接地极的形状、单一接地极的根数和位置有关

上拉下拉电阻问题分析,流散、接地、冲击接地电阻都是什么意思?

  以上所谈的接地电阻,系指在低频、电流密度不大的情况下测得的,或用稳态公式计算得出的电阻值。这与雷击时引入雷电流用的接地装置的工作状态是大不相同的。由于雷电流是个非常强大的冲击波,其幅度往往大到几万甚至几十万安的数值。这样,使流过接地装置的电流密度增大,并受到由于电流冲击特性而产生电感的影响,此时接地电阻称为冲击接地电阻,也可简称冲击电阻。  由于流过接地装置电流密度的增大,以致土壤中的气隙、接地极与土壤间的气层等处发生火花放电现象,这就使土壤的电阻率变小和土壤与接地极间的接触面积增大。结果,相当于加大接地极的尺寸,降低了冲击电阻值。

  长度较长的带形接地装置,由干电感的作用,当超过一定长度时,冲击电阻不再减少,这个极限长度称为有效长度、土壤电阻率越小,雷电流波头越短,则有效长度越短。

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  由于各种因素的影响,引入雷电流时接地装置的冲击电阻,乃是时间的函数。接地装置中雷电流增长至幅值IM的时间,是滞后于接地装置的电位达到其最大值 UM 的时间的。但在工程中已知冲击电流的幅值IM和冲击电阻 Rds的条件下,计算冲击电流通过接地极流散时的冲击电压幅值 UM = IM·Rds 。由于实际上电位与电流的最大值发生于不同时间,所以这样计算的幅值常常比实际出现的幅值大一些,是偏于安全的,因此在实际中还是适用的。

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