台积电三星3nm制程工艺研发均受阻

导读 2020年 台积电和三星这两大芯片代工商 均把芯片制程工艺提升至5nm 而且更先进的3nm制程也在计划中 不过 最近它们好像都遇到了一些麻

2020年 台积电和三星这两大芯片代工商 均把芯片制程工艺提升至5nm 而且更先进的3nm制程也在计划中 不过 最近它们好像都遇到了一些麻烦。

近日 产业链方面的最新消息显示 台积电和三星在3nm制程工艺的研发方面遇到了不同方面的关键技术瓶颈 研发进度不得不放慢。

据台积电CEO魏哲家在财报分析师会议上透露 台积电的3nm制程工艺仍将会采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET)。而三星在3nm制程工艺方面将会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

不过 目前还不能确认台积电和三星在3nm制程工艺研发过程中遇到什么样的瓶颈 到底会对研发的进程造成怎样的影响。

但是 台积电可能是由于“缺电”的原因 造成进程受阻。数据显示 先进制程机台用电量占台积电公司能源使用50%以上 同时考虑先进制程机台数量逐年增加 台积电对于电能的消耗将进一步快速增长。

而对于台积电3nm工艺的产能 此前有报道称其准备了四波产能 第一步中大部分将留给多年的大客户苹果 后三波产能将会被高通AMDIntel等厂商预定。 责任编辑:pj

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