新时代发展越来越快相信很多小伙伴对家电知识这方面很朦胧吧，正好小编对家电方面颇有研究，现在就跟小伙伴们聊聊一篇关于场效应管特点，相信很多小伙伴们都会感兴趣，那么小编也收集到了有关场效应管特点信息，希望小伙伴们看了有所帮助。

场效应管特点1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下，常选用场效应管。　　2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。　　3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用，而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b，S-e，D-c。因此根据BJT电路，即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换，否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。　　4.场效应管S极和D极是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。　　5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样，必须选择合适的静态工作点，栅极必须有合适的偏压，但不出现偏流，对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同，特列如下：

类型VGSVDS类型VGSVDSN沟道JFET负正P沟道JFET正负N沟道EMOS正正P沟道EMOS负负N沟道DMOS正/负正P沟道DMOS正/负负

　　注：JFET表示结型场效应管，DMOS表示耗尽型场效应管；EMOS表示增强型场效应管。　　自给偏压电路　　如图，为自给偏压电路。电容对Rs起旁路作用——源极旁路电容。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　自给偏压电路　　注：增强型场效应管（MOSFET）只有G—S间电压先达到某个开启电压VT时才有ID，所以自偏压不适用于增强型MOSFET。　　分析：当Is流过Rs时产生Vs压降对地是负值。所以，VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS　　问题是：VGS决定于ID而ID又随VGS变化而变化，如何能确定ID、VGS之值呢？下面内容介绍两种解法。图解法　　步骤：　　（1）作直流负载线（从输出回手）　　直流负载线于输出特性曲线的不同VGS的交点，即管子内部方程与输出回路方程的联立解，表明电路中ID，VDS，VGS的数值必在这些交点上。　　(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。　　（3）定静态工作点Q（从G极回路入手）因Q还应满足输入回路，所以作输入回路的直流负载线VGS=-IDRS，如图。　　（4）代入数据，得Q：VGS，VDS，ID

计算法　　计算法采用下列公式求解:　　式子的IDSS称为饱和电流，即为VGS=0时ID的值；VP称为夹断电压，当VGS=VP时，漏极电流ID为0。　　让我们来看一个例子,电路如图.　　已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述两个公式得：　　求解此两方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA　　因为-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合题意，舍去，故静态漏极电流IDQ为　　IDQ=0.30mA；　　静态管压降VGSQ、VDSQ分别为

JFET

MOSFET　

N

沟　

道

P

沟　　

道