家电小知识：N沟道耗尽型MOSFET的结构、特性曲线

2021-04-23 22:35:03

导读新时代发展越来越快相信很多小伙伴对家电知识这方面很朦胧吧，正好小编对家电方面颇有研究，现在就跟小伙伴们聊聊一篇关于N沟道耗尽型MOSFE

新时代发展越来越快相信很多小伙伴对家电知识这方面很朦胧吧，正好小编对家电方面颇有研究，现在就跟小伙伴们聊聊一篇关于N沟道耗尽型MOSFET的结构、特性曲线，相信很多小伙伴们都会感兴趣，那么小编也收集到了有关N沟道耗尽型MOSFET的结构、特性曲线信息，希望小伙伴们看了有所帮助。

N沟道耗尽型MOSFET

1) N沟道耗尽型MOSFET的结构

N 沟道耗尽型MOSFET 的结构示意图如图4-4a所示。耗尽型MOSFET 的符号如图4-4b 所示。N 沟道耗尽型MOSFET 的结构与增强型MOSFET 结构相似，不同之处在于N 沟道耗尽型MOSFET 在制造过程中在栅源之间的SiO2中注入一些离子(图中4-9中用“＋”表示)，使漏源之间的导电沟道在Ugs=0 时导电沟道就已经存在了，这一沟道称为初始沟道。因此称为N沟道耗尽型MOSFET。由于Ugs=0 时就存在初始导电沟道，所以只要加上Uds就能形成漏极电流Id 。