新时代发展越来越快相信很多小伙伴对家电知识这方面很朦胧吧，正好小编对家电方面颇有研究，现在就跟小伙伴们聊聊一篇关于如何提高三极管的开关速度?，相信很多小伙伴们都会感兴趣，那么小编也收集到了有关如何提高三极管的开关速度?信息，希望小伙伴们看了有所帮助。

　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

　　特征频率fT：

　　当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作.fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．

　　电压/电流

　　用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

　　hFE

　　电流放大倍数。

　　VCEO

　　集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。

　　PCM

　　最大允许耗散功率。

　　封装形式指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

　　三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter， E）、基极（base， B）和集极（collector， C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。

　　图1 pnp（a）与npn（b）三极管的结构示意图与电路符号

　　三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forward acTIve），在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2（a）为一pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图2（b）画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。

　　三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB？ E（这部分是三极管作用不需要的部分）。 InB？ E在射极与与电洞复合，即InB？ E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3（a）中看出。

　　图2 （a）一pnp三极管偏压在正向活性区；（b）没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较。

　　图3 （a） pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类；（b）电洞电位能分布及注入的情形；（c）电子的电位能分布及注入的情形。

　　一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极 的射极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE？ B电流会比由基极注入射极 的载体电子电流InB？ E大很多，三极管的效益比较高。图3（b）和（c）个别画出电洞 和电子的电位能分布及载体注入的情形。同时如果基极中性区的宽度WB愈窄， 电洞通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合的机率愈低，到达集电极的有效电 洞流IpE？ C愈大，基极必须提供的复合电子流也降低，三极管的效益也就愈高。 集电极的掺杂通常最低，如此可增大CB极的崩溃电压，并减小BC间反向偏压的 pn接面的反向饱和电流，这里我们忽略这个反向饱和电流。 由图4（a），我们可以把各种电流的关系写下来： 射极电流 基极电流 集电极电流。