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3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数

表1.1.14：原型号3DG6测试条件新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D极限参数PCM(mW)100100100100ICM(mA)20202020BVCBO(V)≥30≥40≥30≥40Ic=100μABVCEO(V)≥20≥30≥20≥30Ic=100μABVEBO(V)≥4≥4≥4≥4IE=100μA直流参数ICBO(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01VEB=10VICEO(μA)≤0.1≤0.1≤0.1≤0.1VCE=10VIEBO(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01VEB=1.5VVBES(V)≤1≤1≤1≤1Ic=10mA IB=1mAVCES(V)≤1≤1≤1≤1Ic=10mA IB=1mAhFE≥30≥30≥30≥30VCE=10V Ic=3mA交流参数fT(MHz)≥150≥150≥300≥300VCE=10V IE=3mA f=100MHzRL=5ΩKp(dB)≥7≥7≥7≥7VCE=-6V IE=3mA f=100MHzCob(pF)≤4≤4≤4≤4VCE=10V IE=0hFE色标分档　　　　　　　(红)30~60； (绿)50~110； (蓝)90~160； (白)>150