MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET 主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor 屏蔽栅沟槽）MOSFET 主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET 主要在高压领域应用。
随着手机快充、电动汽车、无刷电机和锂电池的兴起 中压MOSFET的需求越来越大 中压功率器件开始蓬勃发展 因其巨大的市场份额 国内外诸多厂商在相应的新技术研发上不断加大投入。SGT MOSFET作为中MOSFET的代表 被作为开关器件广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统 是核心功率控制部件。
SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应 在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽 将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布 在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下 器件可以获得更高的击穿电压。较深的沟槽深度 可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量 所以SGT在雪崩时可以做得更好 更能承受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源 电机控制 动力电池系统等应用领域中 SGT MOSFET配合先进封装 非常有助于提高系统的效能和功率密度。
SGT技术优势 具体体现：
优势1：提升功率密度
SGT结构相对传统的Trench结构 沟槽挖掘深度深3-5倍 可以横向使用更多的外延体积来阻止电压 显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻（Specific Resistance） 例如相同的封装外形PDFN5*6 采用SGT芯片技术 可以得到更低的导通电阻。
优势2：极低的开关损耗
SGT相对传统Trench结构 具有低Qg 的特点。屏蔽栅结构的引入 可以降低MOSFET的米勒电容CGD达10倍以上 有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。另外 CGD/CGS的低比值也是目前同步整流应用中抑制shoot-through的关键指标 采用SGT结构 可以获得更低的CGD/CGS比值。
优势3：更好的EMI优势
SGT MOS结构中的内置电阻电容缓冲结构 可以抑制DS电压关断时的瞬态振荡 开关电源应用中 SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡 进一步降低应用风险。
值得一提的是 依托本土庞大的中压MOSFET市场需求 国产器件在中低压领域替换进口品牌的潜力极大 维安在高功率密度、低内阻的SGT MOSFET上面进行积极布局 结合市场和客户的需求 在产品工艺、封装上持续创新。
针对不同的应用场景 在产品系列、规格尺寸上推荐选型如下：
（1）PC、笔电、无线充电等
（2）PD、适配器同步整流
（3）BMS及电机控制
（4）通讯电源、5G基站
维安（WAYON）是电路保护元器件及功率半导体提供商。WAYON始终坚持“以客户为导向 以技术为本 坚持艰苦奋斗精神”的核心价值观。致力于通过技术创新引领市场 努力成为全球电路保护元器件及功率半导体的领先品牌。 责任编辑:tzh