中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（UnitedAutomoTIveElectronicSystemsCo. Ltd. 以下简称“UAES”）与全球知名半导体制造商罗姆（ROHMCo. Ltd. 以下简称“罗姆”）在中国上海的UAES总部成立了“SiC技术联合实验室” 并于2020年10月举行了启动仪式。

与IGBT*1等Si（硅）功率元器件相比 SiC功率元器件具有“开关损耗和传导损耗*2小”、“耐温度变化能力强”等优势 因而作为一种能够显著降低损耗的半导体 在电动汽车以及基础设施、环境/能源、工业设备领域的应用日益广泛。

UAES和罗姆自2015年开始技术交流以来 双方在采用SiC功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作伙伴关系。经过多年的技术交流 采用了罗姆SiC功率元器件的UAES车载产品于今年成功投入量产。

未来 双方将会进一步加强合作关系 并加快以SiC为核心的创新型电源解决方案的开发。

UAES副总经理郭晓潞表示：“自2015年罗姆为UAES推介SiC功率元器件产品以来 双方包括高层在内的交流不断加深。作为多年技术交流的成果 UAES开发出采用了SiC的车载应用并在今年成功实现量产 对此我们表示非常高兴。该联合实验室的成立 表明两家公司之间的合作关系进一步加深 我们期待通过完善的设备 得到更出色的技术支持。”

罗姆董事高级执行官CSO兼功率元器件业务统括伊野和英博士表示：“我们很高兴能够与车载应用领域的先进企业——UAES成立联合实验室。作为SiC功率元器件的先进厂商 罗姆正在推进行业先进的元器件开发 同时 通过与驱动IC等外围元器件相结合的电源解决方案 获得了傲人的实际应用业绩。未来 在市场有望继续扩大的车载领域 把握客户需求和市场动向的研究将是非常重要的要素 因此 双方将通过联合实验室加强合作关系 并凭借以SiC为核心的电源解决方案为汽车技术革新做出贡献。”

＜术语解说＞

*1）IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor 绝缘栅双极晶体管）

同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。

*2）传导损耗、开关损耗

因元器件结构的缘故 MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时（ON状态时） 受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时（开关动作时）产生的损耗。