媒体消息称 长江存储不仅计划大幅扩产 并准备加快技术开发进程。

日前 有媒体报道称 消息人士透露 长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍至10万片晶圆 并准备最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片 不过为确保量产芯片质量 该计划有可能会被推迟至今年下半年。

报道引述消息人士之言指出 长江存储自2020年第三季度以来一直忙于引进和安装必要的生产设备与扩大生产。目前长江存储生产64层和128层3D NAND闪存芯片 日后将逐步增加后者的比例。

对于上述消息 全球半导体观察向长江存储求证 长江存储方面表示不予置评。

长江存储的3D NAND技术进程

回顾长江存储的发展历程 其已在短短3年时间内实现了从32层到64层再到128层的跨越。

2016年7月 长江存储由紫光集团联合大基金等共同出资成立 为国家存储器基地项目的实施主体。2016年12月 长江存储一期工厂正式破土动工；2017年9月 长江存储一期工厂实现提前封顶 同年10月 长江存储在武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上 通过自主研发和国际合作相结合的方式 成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。

从技术开发的时间点来看 2017年7月 长江存储32层3D NAND闪存设计完成；2017年11月 长江存储32层3D NAND闪存实现首次流片。2018年4月 长江存储生产机台进场安装 项目进入量产准备阶段；2018年第三季度 长江存储32层3D NAND闪存实现量产。

在量产32层3D NAND闪存的同时 长江存储也在加速64层3D NAND闪存开发进度。2018年8月 长江存储64层3D NAND闪存实现首次流片 同时推出其全新NAND架构Xtacking®。

2019年9月 长江存储宣布正式量产基于Xtacking® 架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存 这是中国首款64层3D NAND闪存 亦是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品。

2020年4月 长江存储正式宣布 其128层QLC 3D NAND闪存研发成功 并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证 还同时发布了128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片。

从64层越级跳过96层3D NAND技术 直接攻下128层3D NAND技术 长江存储迅速拉近其与三星、SK海力士、美光等国际大厂的距离 对于中国存储器产业而言是一个重大突破。 责任编辑:tzh