12月7日 韩国半导体公司SK海力士表示 近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

据韩联社12月7日报道 SK海力士介绍 第三代4D NAND闪存达到业界最高水平 比上一代128层产品提高了35%以上生产率 增强了产品成本竞争力。另外 SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20% 数据传输速度达到每秒1.6Gb 提高了33%。

上月 SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品 计划明年6月左右批量生产 并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品 扩大各应用领域的市场。另一方面 韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND 预计明年批量生产。 责任编辑:tzh